世界第一！台积电正式宣布2nm制程：2024年台积电

来源：Technology Fast作者：文字Q
近年来，摩尔定律基本上已经失效或越来越慢，但是在半导体工艺中却杀死了几大巨头。
英特尔终于进入了10纳米制程时代，并将在第二年转向7纳米。台积电和三星已经完成了7 nm工艺设计，并冲到了5 nm和3 nm。
台积电已正式宣布它将正式开始2纳米工艺的研发。工厂位于台湾新竹市的南方科技园。原定于2024年投入生产的时间步伐仍然非常快。
根据台积电提供的指标，2纳米工艺是一个重要节点，MetalTrack（金属单元高度）保持在5倍和3纳米，并且GatePitch（晶体管栅极通过）减少了。在30 nm处，MetalPitch减小到20 nm，减小了23％（3 nm）。
台积电没有透露2 nm工艺所需的技术和材料。从晶体管结构示意图和电流无关紧要的变化来看，继续缩小硅半导体工艺到这种程度是一个奇迹。然后您可以看到它是1 nm。
当然，在此之前，台积电将继续经历多个工艺节点，例如7nm +，6nm，5nm，3nm。
其中，7nm +首次引入了EUV EUV光刻技术。这是批量生产。6nm是7nm的改进版本，将于明年第一季度进行试生产。EUV 5nm光刻技术全面推出，风险测试生产将于明年年底开始。在批量生产之前，苹果公司A14，AMD第5代瑞龙（计划采用Zen4）。3nm将于2021年原型化，并将于2022年量产。
三星已经在计划3nm，计划于2021年实现量产。